Dettagli:
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Dissipazione di potere del collettore: | 1.5W | Temperatura di giunzione: | ℃ 150 |
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VCBO: | 600v | Nome del prodotto: | tipo del triodo a semiconduttore |
Corrente di collettore: | 3.5A | Tipo: | Transistor del triodo |
Evidenziare: | transistor di serie di punta,transistor del pnp di alto potere |
TO-126 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 3DD13005HD55 (NPN)
Applicazioni di commutazione di potenza di Ÿ
Buona temperatura elevata di Ÿ
Tensione di saturazione bassa di Ÿ
Commutazione ad alta velocità di Ÿ
SEGNO
Codice di logo 13005HD55=Device di JCET
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
Numero del pezzo | Pacchetto | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
3DD13005HD55 | TO-126 | Massa | 200pcs/Bag |
3DD13005HD55-TU | TO-126 | Metropolitana | 60pcs/Tube |
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
VCBO | Tensione della Collettore-base | 800 | V |
VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 450 | V |
VEBO | Tensione emittenta-base | 9 | V |
IC | Corrente di collettore | 3,5 | A |
PC | Dissipazione di potere del collettore | 1,5 | W |
RθJA | Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | 83,3 | ℃/W |
TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | ℃ |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=1mA, CIOÈ =0 | 800 | V | ||
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | V (BR) CEO* | IC=10mA, IB=0 | 450 | V | ||
Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=700V, CIOÈ =0 | 100 | μA | ||
Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE=450V, IB=0 | 100 | μA | ||
Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=9V, IC=0 | 100 | μA | ||
Guadagno corrente di CC |
hFE (1) * | VCE=5V, IC=1A | 10 | 40 | ||
hFE (2) * | VCE=5V, IC=5mA | 10 | ||||
hFE (3) * | VCE=5V, IC=2A | 5 | ||||
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore |
VCE (seduto) 1 | IC=1A, IB=200mA | 0,3 | V | ||
VCE (seduto) 2 | IC=2A, IB=500mA | 0,6 | V | |||
Tensione di saturazione dell'emettitore di base |
VBE (seduto) 1 | IC=2A, IB=500mA | 1,2 | V | ||
VBE (seduto) 2 | IC=500mA, IB=100mA | 1 | V | |||
tensione di andata del Emettitore-collettore | CEDI VF | IC=2A | 2 | V | ||
Frequenza di transizione | fT | VCE=10V, IC=500mA | 5 | Megahertz | ||
Tempo di immagazzinamento | st | IC=250mA (UI9600) | 5 | µs |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto TO-92
Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
Min | Massimo | Min | Massimo | |
A | 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 |
A1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
D | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
E | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
e | 2,290 TIPO | 0,090 TIPI | ||
e1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
L | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
L1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
P | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Persona di contatto: David