Dettagli:
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Nome di prodotto: | Transistor di potenza del Mosfet | modello: | AP25N10X |
---|---|---|---|
Pacchetto: | SOP-8 | Segno: | AAAA DI AP25N10S XXX |
Tensione di VDSDrain-fonte: | 100V | Tensione del rce di VGSGate-Sou: | ±20V |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X
Descrizione del transistor di potenza del Mosfet:
Uso VD avanzato di AP25N10X la MAGGIOR PARTE della tecnologia a
fornisca il RDS basso (SOPRA), la tassa bassa del portone, commutazione veloce
Questo dispositivo è destinato specialmente per migliorare l'irregolarità
ed adatto usare dentro
RDS basso (sopra) & FOM
Estremamente - perdita bassa di commutazione
Stabilità ed uniformità o invertitori eccellenti
Caratteristiche del transistor di potenza del Mosfet
VDS =100V I D =25 A
RDS (SOPRA) < 55m="">
RDS (SOPRA) < 85m="">
Applicazione del transistor di potenza del Mosfet
Controllo motorio elettronico dell'alimentazione elettrica del consumatore
CC isolata Sincrono-rettifica
applicazioni di Sincrono-rettifica
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
AP25N10S | SOP-8 | AAAA DI AP25N10S XXX | 3000 |
AP25N10D | TO-252-3 | AAAA DI AP25N10D XXX | 2500 |
Ratings@Tj massimo assoluto =25 C (salvo specificazione contraria)
Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
VDS | Tensione di Scolo-fonte | 100 | V |
VGS | Tensione di Portone-fonte | +20 | V |
ID@TC =25℃ | Vuoti la corrente, VGS @ 10V | 25 | A |
ID@TC =100℃ | Vuoti la corrente, VGS @ 10V | 15 | A |
IDM | Scolo pulsato Current1 | 60 | A |
PD@TC =25℃ | Dissipazione di potere totale | 44,6 | W |
PD@TA =25℃ | Dissipazione di potere totale | 2 | W |
T STG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
T J | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 |
℃ |
Rthj-c | Resistenza termica massima, Giunzione-caso | 2,8 | ℃/W |
Rthj-a |
Resistenza termica massima, Giunzione-ambientale (Supporto del PWB) |
62,5 | ℃/W |
Characteristics@Tj elettrico =25 C (salvo specificazione contraria)
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Massimo. | Unità |
BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 100 | - | - | V |
RDS (SOPRA) |
Scolo-fonte statica su Resistance2 |
VGS =10V, I =12A | - | - | 55 | mΩ |
VGS =5V, IDENTIFICAZIONE =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | 0,9 | - | 2,5 | V |
gfs | Transconduttanza di andata | VDS =10V, I =12A | - | 14 | - | S |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =80V, VGS =0V | - | - | 25 | uA |
IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS = +20V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
Qg | Portone totale Charge2 | ID=12A | - | 13,5 | 21,6 | nC |
Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 3 | - | nC | |
Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 9 | - | nC | |
il TD (sopra) | Ritardo d'apertura Time2 | VDS =50V | - | 6,5 | - | NS |
TR | Tempo di aumento | - | 18 | - | NS | |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | - | 20 | - | NS | |
tf | Tempo di caduta | - | 5 | - | NS | |
Ciss | Capacità dell'input |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | PF |
Coss | Capacità di uscita | - | 115 | - | PF | |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 80 | - | PF | |
Rg | Resistenza del portone | f=1.0MHz | - | 1,6 | - | Ω |
VSD | Trasmetta su Voltage2 | IS=12A, VGS =0V | - | - | 1,3 | V |
trr | Recupero inverso Time2 |
IS=12A, VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | NS |
Qrr | Tassa inversa di recupero | - | 70 | - | nC |
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Massimo. | Unità |
BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 100 | - | - | V |
RDS (SOPRA) |
Scolo-fonte statica su Resistance2 |
VGS =10V, I =12A | - | - | 55 | mΩ |
VGS =5V, IDENTIFICAZIONE =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | 0,9 | - | 2,5 | V |
gfs | Transconduttanza di andata | VDS =10V, I =12A | - | 14 | - | S |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =80V, VGS =0V | - | - | 25 | uA |
IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS = +20V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
Qg | Portone totale Charge2 | ID=12A | - | 13,5 | 21,6 | nC |
Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 3 | - | nC | |
Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 9 | - | nC | |
il TD (sopra) | Ritardo d'apertura Time2 | VDS =50V | - | 6,5 | - | NS |
TR | Tempo di aumento | - | 18 | - | NS | |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | - | 20 | - | NS | |
tf | Tempo di caduta | - | 5 | - | NS | |
Ciss | Capacità dell'input |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | PF |
Coss | Capacità di uscita | - | 115 | - | PF | |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 80 | - | PF | |
Rg | Resistenza del portone | f=1.0MHz | - | 1,6 | - | Ω |
VSD | Trasmetta su Voltage2 | IS=12A, VGS =0V | - | - | 1,3 | V |
trr | Recupero inverso Time2 |
IS=12A, VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | NS |
Qrr | Tassa inversa di recupero | - | 70 | - | nC |
Note:
1. Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima. prova 2.Pulse
3.Surface montato su 1 dentro
cuscinetto di rame 2 del bordo FR4
Attenzione
1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.
2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.
3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.
4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.
5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.
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Persona di contatto: David