Dettagli:
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Nome di prodotto: | Transistor di potenza del Mosfet | modello: | AP8205A |
---|---|---|---|
Pacchetto: | TSSOP-8 | Segno: | 8205A |
Tensione di VDSDrain-fonte: | 20V | Tensione del rce di VGSGate-Sou: | ±12V |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
Alto transistor di potenza del Mosfet di densità delle cellule per piccolo controllo motorio
Descrizione del transistor di potenza del Mosfet:
Il AP8205A è la fossa di rendimento elevato
MOSFETs N-ch con alta densità estrema delle cellule,
quale forniscono RDSON eccellente e gate la tassa
per la maggior parte di piccola commutazione di potenza e
applicazioni del commutatore del carico. Il raduno il RoHS e
Requisito del prodotto con affidabilità completa di funzione approvata.
Caratteristiche del transistor di potenza del Mosfet
VDS = 20V IDENTIFICAZIONE = 6A
RDS (SOPRA) < 27m="">
RDS (SOPRA) <37m>
Applicazione del transistor di potenza del Mosfet
Protezione della batteria
Gruppo di continuità
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
AP8205A | TSSOP-8 | 8205A | 5000 |
Valutazioni massime assolute (TA=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
Tensione di Scolo-fonte | VDS | 20 | V |
Tensione di Portone-fonte | VGS | ±12 | V |
Vuoti Corrente-continuo | Identificazione | 6 | A |
Vuoti Corrente-pulsato (nota 1) | IDM | 25 | A |
Dissipazione di potere massima | Palladio | 1,5 | W |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -55 - 150 | ℃ |
Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche (℃ di TUM =25 salvo indicazione contraria)
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 20 | 21 | - | V |
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | VDS=19.5V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
Corrente di perdita del Portone-corpo | IGSS | VGS=±10V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Tensione della soglia del portone | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 0,5 | 0,7 | 1,2 | V |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte |
RDS (SOPRA) |
VGS=4.5V, ID=4.5A | - | 21 | 27 | mΩ |
VGS=2.5V, ID=3.5A | - | 27 | 37 | mΩ | ||
Transconduttanza di andata | gFS | VDS=5V, ID=4.5A | - | 10 | - | S |
Capacità dell'input | Clss | - | 600 | - | PF | |
Capacità di uscita | Coss | - | 330 | - | PF | |
Capacità inversa di trasferimento | Crss | - | 140 | - | PF | |
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) | - | 10 | 20 | NS | |
Tempo di aumento d'apertura |
r t |
- | 11 | 25 | NS | |
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | - | 35 | 70 | NS | |
Tempo di caduta di giro-Fuori |
f t |
- | 30 | 60 | NS | |
Tassa totale del portone | Qg |
VDS=10V, ID=6A, |
- | 10 | 15 | nC |
Tassa di Portone-fonte | Qgs | - | 2,3 | - | nC | |
Tassa dello Portone-scolo | Qgd | - | 1,5 | - | nC | |
Tensione di andata del diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=1.7A | - | 0,75 | 1,2 | V |
Corrente di andata del diodo (nota 2) |
S I |
- | - | 1,7 | A |
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 20 | 21 | - | V |
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | VDS=19.5V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
Corrente di perdita del Portone-corpo | IGSS | VGS=±10V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Tensione della soglia del portone | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 0,5 | 0,7 | 1,2 | V |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte |
RDS (SOPRA) |
VGS=4.5V, ID=4.5A | - | 21 | 27 | mΩ |
VGS=2.5V, ID=3.5A | - | 27 | 37 | mΩ | ||
Transconduttanza di andata | gFS | VDS=5V, ID=4.5A | - | 10 | - | S |
Capacità dell'input | Clss | - | 600 | - | PF | |
Capacità di uscita | Coss | - | 330 | - | PF | |
Capacità inversa di trasferimento | Crss | - | 140 | - | PF | |
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) | - | 10 | 20 | NS | |
Tempo di aumento d'apertura |
r t |
- | 11 | 25 | NS | |
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | - | 35 | 70 | NS | |
Tempo di caduta di giro-Fuori |
f t |
- | 30 | 60 | NS | |
Tassa totale del portone | Qg |
VDS=10V, ID=6A, |
- | 10 | 15 | nC |
Tassa di Portone-fonte | Qgs | - | 2,3 | - | nC | |
Tassa dello Portone-scolo | Qgd | - | 1,5 | - | nC | |
Tensione di andata del diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=1.7A | - | 0,75 | 1,2 | V |
Corrente di andata del diodo (nota 2) |
S I |
- | - | 1,7 | A |
Note:
1. valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima. 2. superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. Prova di impulso: ≤ 300μs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
4. Garantito da progettazione, non conforme a produzione
Attenzione
1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.
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3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.
4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.
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Persona di contatto: David