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Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

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Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W

Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W
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Grande immagine :  Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: TIP32/32A/32B/32C
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W

descrizione
Identificazione del prodotto: TIP32/32A/32B/32C Dissipazione di potere del collettore: 2w
Tipo: Triodo a semiconduttore Caratteristica: Ad alta frequenza
Evidenziare:

triodo per tutti gli usi

,

commutatore a semiconduttore

TO-220-3L Plastica-incapsulano i transistor

 

 

TIP32/32A/32B/32C

 

 

CARATTERISTICA
 
Applicazioni lineari di commutazione di media potenza
 
 

VALUTAZIONI MASSIME (tum =25℃ salvo indicazione contraria)

Simbolo Parametro TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C Unità
VCBO Tensione della Collettore-base 40 60 80 100 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 40 60 80 100 V
VEBO Tensione emittenta-base 5 V
IC Corrente di collettore 3 A
PC Dissipazione di potere del collettore 2 W
RθJA Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale 62,5  
TJ Temperatura di giunzione 150
Tstg Temperatura di stoccaggio -55~+150

 

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE (tum =25℃ a meno che altri saggi specificati)

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Ascia di m. Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= 1mA, CIOÈ =0

40

60

80

100

 

 

 

V

tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore * TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

VCEO (sus)

 

 

IC= 30mA, IB=0

40

60

80

100

 

 

 

V

Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ = 1mA, IC=0 5   V
Corrente di taglio di collettore

TIP31 TIP31A TIP31B

TIP31C

 

 

ICBO

VCB=40V, CIOÈ =0 VCB=60V, CIOÈ =0 VCB=80V, CIOÈ =0 VCB=100V, CIOÈ =0  

 

 

200

 

 

μA

Corrente di taglio di collettore TIP31/31A TIP31B/31C ICEO VCE= 30V, IB= 0 VCE= 60V, IB= 0  

 

0,3

 

mA

Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=5V, IC=0   1 mA

 

Guadagno corrente di CC

hFE (1) VCE= 4V, IC= 1A 25    
hFE (2) VCE=4 V, IC= 3A 15 75  
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC=3A, IB=0.375A   1,2 V
Tensione dell'emettitore di base VBE (sopra) VCE= 4V, IC=3A   1,8 V
Frequenza di transizione fT VCE=10V, IC=0.5A 3   Megahertz

 

 

* prova di impulso: PW≤300µs, dovere Cycle≤2%.

 

 

 

Caratteristiche tipiche TIP31/31A/31B/31C

 

Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W 0

 

 

 

Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W 1

Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W 2

 

 

 

Dimensioni del profilo del pacchetto TO-126

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPI
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Dissipazione di potere ad alta frequenza del collettore del triodo a semiconduttore di TIP32/32A/32B/32C 2W 3
 

 

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